收藏本站  |  English  |  联系我们  |  中国科学院
   
近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线( Gate-all-around silicon nanowire , GAA SiNW ) MOS器件的结构和制造方法研究上取得重要进展。针对上述纳米线晶体管架构在集成电路发展应用中所面临的难题,殷华湘研究员研发团队提出在主流硅基FinFET集成工艺基础上,通过高级刻蚀技术形成体硅绝缘硅Fin和高k金属栅取代栅工艺中选择腐蚀SiO2相结合,最终形成全隔离硅基环栅纳米线MOS器件的新方法。研制...
  综合新闻
  科研动态
  合作交流
  发表文章
  党务公开
  业内信息
  电子期刊
W020180406426214227812.png 《芯天地》2018年第1期
目 录 “芯”闻快讯 1. 中科院党组第一巡视组向微电子所反馈巡视情况 特别报道 2. 微电子所召开2017年...
  通知公告
  招生招聘
  • 中科院微电子所诚邀海内外青年学子申报“青年千人计划”
  • 中科院微电子所2018年度率先行动“百人计划”招聘启事
  •     中国科学院微电子研究所版权所有 邮编:100029
    单位地址:北京市朝阳区北土城西路3号,电子邮件:webadmin@ime.ac.cn
    京公网安备110402500036号