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SURFACE STATES
2013-09-22 | 编辑: | 【 【打印】【关闭】
表面状态 1.定义:表面状态是介在Si-SiO2接口的政电荷,也叫做Interface States。形成表面状态的原因,是作氧化步骤时Si会从表面移去而与O2反应。当氧化停止时,有些离子Si会留在靠近接口处。这些为完全键结的Si离子会沿着表面形成一条正电荷QSS。电荷大小决定于下列因素:氧化速度、后续热处理步骤及Crystal Orientation。在{111}表面,良好的氧化步骤下,其表面状态密度约为5。


 
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