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论文题目 英文论文题目 作者 刊物名称 年卷期页
关于Ge-MOSFETs界面钝化的广泛研究-控制界面层以实现高性能器件- Comprehensive study of interface passivation in Ge-MOSFETs-Control the interfacial layer for high performance devices- 刘洪刚 Proceedings of IEEE International Conference on Solid-State 2012 2012 (1):S35-03-1
一款输出功率24瓦的Ku波段GaN基功率放大器 A 24W Ku band GaN based power amplifier with 9.1 dB linear gain 罗卫军 Microelectronics Journal 2012 (43):569
高迁移率In0.6Ga0.4As 沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究 Study on high mobility In0.6Ga0.4As channel MOSHEMT and MOSFET 刘洪刚 物理学报 2012 61(21):217304-1
基于玻璃通孔金属转接板的射频MEMS移相器封装设计 Design of RF MEMS phase shifter packaging based on through glass via (TGV) interposer 孙晓峰 2012 International Conference on Electronic Packaging Technology & High Density Packaging 2012 (2012):808
硫化铵处理对锗表面的MOS器件的性能影响 The Impact of HCl Precleaning and Sulfur Passivation on the Al2O3/Ge Interface in Ge Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors 刘洪刚 Chinese Physics Letter 2012 4(2012):046801-1
基于SRAM的FPGA导航布局布线方法实现与应用 Implementation and application of navigated place and route for an SRAM-based FPGA 陈亮 深圳大学学报理工版 2012 29(3):217
SOI工艺下不同薄膜厚度导致静电保护器件SCR维持电压漂移 Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon-on-insulator technology 韩郑生 Journal of Semiconductors 2012 33(3):034006-1
逆导型IGBT发展概述 Development of ReverseConductingTechnologyforIGBT 朱阳军 半导体技术 2012 37(11):836
针对一种岛式FPGA布局布线方法的研究与改进 Improvement of Place and Route for an Island-Style FPGA 陈亮 微电子学与计算机 2012 (8):19
Ni/Pt/Au源漏欧姆接触的GaSb p型场效应晶体管 GaSb p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Ni/Pt/Au Source/Drain Ohmic Contacts 刘洪刚 Chinese Physics Letters 2012 (12):127303-1
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