收藏本站  |  English  |  联系我们  |  中国科学院
  首页 所况介绍  
科研成果
 
 
 
 
现在位置:首页 > 科研成果 > 专利
专利名称: 申请号: 专利类别:
专利号: 代理机构:
 
专利名称 专利类别 专利号 申请日期 发明人 专利授权日期
P型MOSFET的制造方法 国际专利 US9,196,706 2012-12-07 徐秋霞;朱慧珑;周华杰;许高博;梁擎擎   2015-11-24
等平面场氧化隔离结构及其形成方法 发明专利 201210521736.4 2012-12-06 许高博;徐秋霞   2016-08-17
一种TI-IGBT及其形成方法 国际专利 9461116 2012-12-06 张文亮,卢烁今,田晓丽,胡爱斌   2016-10-04
半导体器件及其制造方法 国际专利 9,349,867 2012-12-04 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲   2016-05-24
一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 发明专利 201210510130.0 2012-12-03 李春龙;李俊峰;闫江;赵超   2016-06-29
一种基于Zigbee协议的无线传感器网络结构维护方法及系统 发明专利 ZL201210510343.3 2012-12-03 陈岚;龚关飞;李莹;俞雪婷   2016-03-02
一种IGBT 实用新型 ZL 2012 2 0657534.8 2012-12-03 张文亮,朱阳军,卢烁今,赵佳   2013-06-19
一种集光系统防污染保护装置 发明专利 201210505346.8 2012-11-30 宗明成;魏志国;徐天伟;孙裕文;黄有为   2016-03-30
半导体器件及其制造方法 国际专利 US9117926 2012-11-30 朱慧珑;梁擎擎   2015-08-25
FinFET及其制造方法 发明专利 201510612319.4 2012-11-30 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲   2016-08-17
一种半导体功率器件 实用新型 ZL 2012 2 0652041.5 2012-11-30 褚为利,朱阳军,田晓丽,卢烁今,陆江   2013-06-26
平坦化处理方法 发明专利 201210505860.1 2012-11-30 朱慧珑;罗军;李春龙;邓坚;赵超   2016-08-24
共17页  首页上5页上一页1617

 

    中国科学院微电子研究所版权所有 邮编:100029
单位地址:北京市朝阳区北土城西路3号,电子邮件:webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号