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专利名称 专利类别 专利号 申请日期 发明人 专利授权日期
一种原子层沉积设备 发明专利 201210477229.5 2012-11-21 董亚斌;夏洋;李超波;张阳   2016-02-03
一种利用ALD制备栅介质结构的方法 发明专利 ZL 201210477230.8 2012-11-21 董亚斌;夏洋;李超波;张阳   2015-11-18
一种电极引入结构 发明专利 ZL 201210477228.0 2012-11-21 席峰;王佳;李楠;汪明刚;夏洋   2015-09-30
半导体器件及其制造方法 国际专利 US9,524,910 2012-11-19 朱慧珑   2016-12-20
半导体器件及其制造方法 国际专利 9,397,096 2012-11-19 朱慧珑   2016-07-19
一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法 发明专利 201210495667.4 2012-11-18 刘洪刚;韩乐;薛百清;孙兵;王盛凯   2016-01-20
参数化生成多倍强度驱动单元的方法 发明专利 ZL201210456965.2 2012-11-14 陈岚;周宠;尹明会;赵劼   2016-08-03
半导体器件制造方法 国际专利 9,331,172 2012-11-13 李春龙;李俊峰;闫江;孟令款;贺晓彬;陈广璐;赵超   2016-05-03
半导体器件及其制造方法 发明专利 201210448458.4 2012-11-09 朱慧珑   2016-08-03
FinFET及其制造方法 发明专利 ZL201210447946.3 2012-11-09 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲   2016-12-21
半导体器件及其制造方法 发明专利 ZL201210447259.1 2012-11-09 朱慧珑   2016-12-21
半导体器件及其制造方法 发明专利 201210447834.8 2012-11-09 朱慧珑   2016-05-11
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