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2011年年鉴
2011-04-01 | 编辑: | 【 【打印】【关闭】
 

  中国科学院微电子研究所(以下简称微电子所)的前身是中国科学院109厂。1958年,为满足国家研制“两弹一星”和高频晶体管计算机的战略需求,109厂应运而生,1965年9月成为独立法人单位,由中国科学院直接领导。1986年,109厂与中国科学院半导体研究所、计算技术研究所有关研制大规模集成电路部分合并,更名为中国科学院微电子中心,2003年9月更名为中国科学院微电子研究所。

  微电子所的主要研究领域包括:核心电子器件产品与技术、高端通用芯片产品与技术、面向产业的公共技术创新平台、集成电路核心技术与先导工艺技术和纳电子基础前沿。是国家集成电路制造领域前瞻性先导技术研发的牵头组织单位、中国科学院物联网研究发展中心、中国科学院EDA中心等院级创新平台的依托单位。

  微电子所的中长期发展目标是:致力于核心知识产权创新,成为中国微电子领域基础性、前瞻性研究的核心基地;推进先进技术的应用和产品孵化,成为对产业技术发展具有重大影响的创新与服务平台;加强人才培养,成为高素质产业创新人才和优秀工程师的培养基地。全方位开放合作,引领中国集成电路技术创新,推动产业发展。

  微电子所2015年发展目标是:研究水平和平台建设要在国家创新体系中树立核心地位,成为国家级的创新中心和“产学研用”核心基地;要成为在国际上有一定影响的高水平研究所;管理机制要向国际水平看齐,形成正规化、常态化、可持续的长效机制,打造具有微电子所特色的创新文化。

  微电子所设有10个研究室、3个研发中心和2个中国科学院重点实验室,即硅器件与集成技术研究室、专用集成电路与系统研究室、纳米加工与新器件集成技术研究室、微波器件与集成电路研究室、通信与多媒体SOC研究室、电子系统总体技术研究室、电子设计平台与共性技术研究室、微电子设备技术研究室、系统封装技术研究室、射频集成电路研究室,集成电路先导工艺研发中心、物联网技术研发中心、卫星导航技术研发中心,微电子器件与集成技术重点实验室和系统芯片(SOC)设计重点实验室。

  截至2010年底,微电子所共有在职职工816人。包括中国科学院院士2人、研究员及正高级工程技术人员58人、副研究员及高级工程技术人员110人。共有国家“千人计划”(国家海外高层次人才引进计划)入选者5人(新增4人)中国科学院“百人计划”入选者13人(新增6人)、国家杰出青年科学基金获得者2人。微电子所现有电子科学与技术一级学科下设的二级学科微电子学与固体电子学硕士、博士研究生培养点,并设有电子科学与技术一级学科博士后流动站;2010年共有在读研究生429人,其中博士生72人、硕士生256人、联合培养生101人,在站博士后17人。

  2010年,微电子所共有在研项目265项(包括新增项目110项)。其中,国家重点基础研究发展计划(973)项目2项(新增2项)、课题18项(新增7项),中国高技术研究发展计划(863)项目16项(新增4项);国家自然科学基金重大项目1项、重点项目1项、面上项目13项(新增8项);重要方向项目16项(新增13项),国际合作项目1项,重大仪器研制项目2项;院地合作项目1项。

  2010年,微电子所取得的主要成果有:①研制成功低功耗、高性能GPS/北斗/Galileo多模导航接收机射频、基带芯片。②创新制备成功多种性能优良的高K栅介质薄膜。在国内首次研制成功了性能良好的具有高K栅介质/金属栅的nMOS和pMOS器件。③研制成功多品种SOI电路产品。标志着微电子所具备了批量生产多品种高端高档SOI电路产品的技术能力。④在世界上首次将等离子体浸没注入应用于黑硅制备研究,成功制备出了多孔黑多晶硅材料。⑤在高速/高可靠数字传输系统与基带芯片的研究中取得突破性进展,研制成功国内公开报道的第一颗MIMO-OFDM基带处理器芯片。⑥IGBT系列产品研发取得突破进展,填补了国产制造工艺技术在该领域的空白。⑦首次实现高端芯片完全国产化的高密度封装。⑧成功研制出4G射频芯片与模块。⑨在GaN微波功率器件与模块的研究中取得了突破性进展。⑩自主研发的可制造性设计软件工具被大生产线采用。实现了科研成果实用化的目标,为开展32纳米及以下工艺节点的可制造性研究奠定基础。

  2010年度,微电子所获专利受理527项,其中发明专利515项,实用新型12项;获专利授权107项,其中发明专利93项,实用新型14项。共发表期刊论文139篇,会议论文65篇,影响因子总数133.482。共发表译著1部,专著1部。

  中国科学院EDA中心是我国第一家网络化的电子设计公共服务平台,支撑了全科学院数十家单位的电子设计研发工作,面向全国提供EDA软件工具服务、多目标芯片流片与封装服务、模块与版级系统设计、SoC与IP核共性技术和人才培训等多方面的专业技术服务。EDA中心不断发展壮大,将分中心扩展到上海、沈阳、无锡、兰州、西安、成都、南海等地,进一步扩大EDA中心在集成电路与系统设计领域的技术服务的广度和深度,为中国集成电路产业技术发展和整个行业的资源整合发挥更大作用。

  2010年,EDA中心软件工具平台累计为院内14家会员单位的30多个科研课题组提供EDA平台服务超过百万小时,用户软件拷贝量超过几百G,有力地支撑了全院电子设计领域研发工作的开展;多项目晶圆(MPW)服务交付芯片10000余颗,设计面积近千mm2,搭载芯片项目近200个,流片50余班次,其中含1个工程批。为国内第一个研究单位获得TSMC 65nm的MPW加工服务许可;EDA中心提供世界一流的学术交流与高级人才培训平台,2010年举办工具培训20余次,技术讲座及交流10余次,培训学员达近千人。

  EDA中心承接工信部电子发展基金“集成电路服务平台”项目,成为国家级SoC/IP公共服务平台,并与CSIP和上海硅知识产权交易中心形成全国的网络互动,联合科技部8个产业化基地,形成了产学研用联盟,为8家基地提供共性技术支撑,服务全国的芯片行业。2010年,EDA中心“集成电路IP技术服务开放实验室”正式成为首都科技条件平台中国科学院研发实验服务基地与运营二期新增实验室之一。

  微电子所的院地合作工作以“企业为主体、市场为导向、产学研结合”为方针,贯彻“全方位开放、科技成果转移转化前移”的理念,以“务实、求真”的态度,充分把握历史机遇,整合多方资源,有计划、有步骤的开展工作,取得了丰硕的成果。

  根据院党组要求,为落实温家宝总理关于建设“感知中国中心”的重要指示,微电子所承担并全面参与中国物联网研究发展中心(筹)筹备建设工作。2010年10月8日路甬祥院长主持召开中科院院长办公会,正式批准成立“中国科学院物联网研究发展中心”,纳入“中科院创新2020”建设规划,作为全院“战略高技术中心”之一给予重点支持,依托单位微电子所。目前,发展中心一期建设已经有微电子所、上海微系统所、自动化所等11家中科院单位进驻;建成“电子设计公共服务平台”等4个公共技术服务平台;到位人员401人,科研人员占89%以上,具有硕博士学位人员占78%以上,并建立了博士后工作站。发展中心成立了产业化公司“江苏中科物联网科技发展有限公司”,注册资本1亿元,重点孵化项目15项,已参股15家高科技企业。

  微电子所积极引进资本和管理团队,2010年分别与江苏中科物联网科技发展有限公司成立无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司;与南京市玄武区国有资产投资管理控股(集团)有限公司成立南京市物联网研究与产业化有限公司;与沃普瑞科技(北京)有限责任公司、江苏中科物联网科技发展有限公司成立无锡中科沃普瑞科技有限公司。

  根据地方科技经济发展需求,微电子所与江苏无锡、盐城、昆山、浙江嘉善县、山东文登、佛山等地合作共建“中科院EDA中心无锡分中心”、“中科院EDA中心昆山分中心”、“中科无线授时与定位研发中心”、“智能仓储研发中心”、“微电子设备研究院”、“中科院EDA中心佛山南海分中心”。

  为加强与产业界的合作交流,微电子所分别与上海宏力半导体制造有限公司、西安永电电气有限公司、国家电网电力科学研究院、成都物联网产业研究发展中心等单位签署了合作协议,合作方式包括联合实验室建设、项目联合开发等。

  微电子所积极参与地方科技建设工作,2010年承担广东省中科院全面战略合作专项和广东省战略性新兴产业项目各1项,2010年向广东省派遣科技特派员14名;组团参加上海、佛山、郑州、济南、青岛、杭州等地的产学研洽谈会,深入了解地方技术需求,攻克技术难题,促进地方经济发展。

  截至2010年底,微电子所对外合作共建机构总数39个,其中公司15个,联合实验室22家,分部/研发平台2个,2010年新增高科技公司3家、联合实验室6家。

  2010年,微电子所共接待国外专家来访和学术交流33个团组共79人,派遣出国访问、讲学、交流20个团组共51人次;聘任国外名誉和客座研究员7人。

  微电子所是全国半导体设备与材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会秘书处、全国纳米技术标准化技术委员会微纳加工技术工作组秘书处、北京电子学会半导体专业技术委员会制版(光掩模制造)分技术委员会秘书处挂靠单位。

 

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