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2013年年鉴
2013-05-24 | 编辑: | 【 【打印】【关闭】
 

  中国科学院微电子研究所(以下简称“微电子所”)的前身——原中国科学院109厂成立于1958年。1986年,109厂与中国科学院半导体研究所、计算技术研究所有关研制大规模集成电路部分合并为中国科学院微电子中心。2003年9月,正式更名为中国科学院微电子研究所。

  微电子所的发展目标是:全方位开放合作,引领中国集成电路技术创新,推动产业发展;致力于核心知识产权创新,成为中国微电子领域基础性、前瞻性研究的创新中心和“产学研用”核心基地;推进先进技术在行业中的应用和产品孵化,成为对产业技术发展具有重大影响的创新与服务平台;加强人才培养,成为高素质产业创新人才和优秀工程师的培养基地。

  微电子所的主要研究领域包括:核心电子器件产品与技术、高端通用芯片产品与技术、面向产业的公共技术创新平台、集成电路核心技术与先导工艺技术和纳电子基础前沿研究。是国家集成电路制造领域前瞻性先导技术研发的牵头组织单位,中国科学院物联网研究发展中心、中国科学院EDA中心等院级创新平台的依托单位。

  2012年,微电子所深入推进落实“创新2020”和“一三五”规划,提出“在国家集成电路产业链建设与战略性新兴产业发展中寻找定位”、“在面向世界前沿的微电子技术创新中寻找突破点”,着力实现三个重大突破(集成电路先导技术、物联网关键技术与示范工程等),努力培育五个重点方向(高端通用芯片与设计新技术、低成本低功耗信息器件与系统集成等);全面推进精细化管理,进行管理模式、科研体系、评价体系等方面的积极探索。

  微电子所设有11个从事应用技术研究的研究室(硅器件与集成技术研究室、专用集成电路与系统研究室、纳米加工与新器件集成技术研究室、微波器件与集成电路研究室、通信与多媒体SoC研究室、电子系统总体技术研究室、电子设计平台与共性技术研究室、微电子设备技术研究室、系统封装技术研究室、集成电路先导工艺研发中心、射频集成电路研究室),设有3个重大行业技术支撑的研究中心(物联网技术研发中心、宇航芯片技术研发中心、卫星导航技术研发中心)和2个从事前沿基础研究的重点实验室(微电子器件与集成技术重点实验室、低功耗集成电路重点实验室)。

  截至2012年底,微电子所共有在职职工1115人。其中科技人员766人、科技支撑人员86人,包括中国科学院院士2人、研究员及正高级工程技术人员70人、副研究员及高级工程技术人员186人。共有国家海外高层次人才引进计划(千人计划)入选者11人,中国科学院“百人计划”入选者19人,国家杰出青年科学基金获得者2人。

  微电子所是国务院学位委员会批准的博士(1996年5月获批)、硕士学位(1990年11月获批)授予权单位之一,现设有电子科学与技术一级学科,下设微电子学与固体电子学二级学科(2011年获批中国科学院重点学科),设有硕士、博士研究生培养点和电子科学与技术一级学科博士后流动站,是全国首批“工程博士”试点单位。截至2012年底,共有在学研究生313人(其中硕士生218人、博士生95人)、在站博士后12人。

  2012年,微电子所共有在研项目360 项(新增项目133项)。其中,国家科技重大专项课题82项(新增10项),国家重点基础研究发展计划(973)项目2项、课题22项(新增8项),国家高技术研究发展计划(863)项目7项(新增4项);国家自然科学基金重大项目1项、创新群体1个,重点项目4项、面上项目14项(新增7项);中国科学院战略性先导科技专项课题5项,院重要方向项目9项(新增5项),院修购项目7项(新增4项),院地合作项目8项(新增1项)。

  2012年,微电子所取得的主要成果有:(1)22纳米 CMOS关键技术先导研发取得突破性进展,在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs,器件性能良好,达到国内领先、世界一流水平。(2)32纳米新型存储器研究取得突破,填补了我国在大容量NOR型闪存芯片研究方面的技术空白,也为后65纳米大容量NOR型闪存芯片的发展奠定了重要基础。(3)45-28纳米DFM研究取得突破,28纳米HKMG AL栅CMP工艺仿真工具的研制成功是目前业界第一款针对HKMG AL栅的DFM解决方案,标志着我国的纳米芯片设计方法学和设计技术达到了世界先进行列。(4)高可靠汽车电子核心芯片与系统搭建了新能源汽车动力电池组监控与管理系统平台,为汽车电子核心芯片的技术突破和国产化、产业化发展起到了重要的推动作用。(5)化合物半导体基超高速数模混合电路采用GaAs HBT和SiGe BiCMOS工艺,实现了系列国内领先的超高速数模混合电路,并获得小批量订货。(6)车载三维可变视角全景影像系统搭建了可模拟各种规格车辆的数据采集系统,设计了全自动快速图像标定方案,能够实现动态场景的图像处理和3D显示功能,即将进入产业化阶段。(7)智能养老照护系统全面提升养老机构的管理效率和信息化水平,为整个养老机构建立了历史资料数据库,为各级管理人员提供了科学的参考依据。(8)黑硅(多晶)太阳电池研究获突破,转换效率逼近18%,该技术的应用将为我国光伏企业摆脱目前困境做出贡献,其文章发表在Solar Energy Materials and Solar cells、物理学报等多家期刊,已申请专利30余项。(9)国内首次完成采用SAP技术加工制作的最小线宽线距达到25µm/25µm的高密度封装基板小批量生产,标志着已经建成一个具有国际先进水平的系统级封装研发平台。(10)开发出采用直接变频收发机架构、载波频率6.6GHz、射频带宽600MHz、噪声系数小于5dB、线性发射功率大于0dBm的低成本CMOS超宽带射频芯片,其关键技术和IP可以直接应用于其他高频段的芯片研发。微电子所参与完成的“超大规模集成电路65-40纳米成套产品工艺研发与产业化”项目荣获“2012年度北京市科学技术奖一等奖”。

  2012年,微电子所专利受理874项,其中发明专利834项,实用新型40项;专利授权165项,其中发明专利141项,实用新型22项,外观设计专利2项;专利实施许可1项。共发表论文262篇,其中SCI收录89篇,EI收录84篇,影响因子总数220.1285。出版专著2部。 

  作为院电子系统与芯片设计公共技术服务支撑平台,中国科学院EDA中心(以下简称“EDA中心”)以微电子所为依托单位,通过院计财局支持的“区域加工服务中心”建设,为中科院内各会员单位整合更加先进、丰富的行业资源和教育培训资源。2012年,EDA中心为院内提供近千次服务,服务覆盖软件平台、物理实现、IP授权、MPW、封装设计、PCB设计等方面,首次实现国家科技重大专项课题间的互动,与SMIC、CSMC、HHNEC联合合作,针对40/65nm, BCD、HV等先导工艺,组织院内项目免费流片,有效整合产业链上下游资源,推动国产高端芯片设计技术迈上新台阶;承担院“十二五”重要方向性课题“芯片设计数据共享平台”,优化升级EDA平台硬件环境,搭建了基于云计算的“芯云”IC设计环境,极大地提高了软硬件资源使用效率;首次承办国际学术竞赛并获得组委会一致好评,获邀继续承办2013年竞赛;积极配合院内重大战略布局,建立佛山分中心,服务支持珠三角集成电路产业。经过十年建设,EDA中心经历了从中科院资源共享平台——共性技术服务——共性技术创新三个阶段和层次的发展历程,已经提升为国家级行业共性技术服务创新平台。

  中国物联网研究发展中心(筹)/中国科学院物联网研究发展中心/江苏物联网研究发展中心(以下简称:发展中心)自2010年10月成立以来,经过近三年建设,围绕集成创新、应用示范、公共平台、产业培育及人才培育五大功能布局,基本完成了建设阶段各项任务,战略规划布局不断完善、科研成果产出及应用示范全面推广,逐步从筹建组织实施阶段全面进入转型发展时期。截至2012年底,团队规模达949人。其中,发展中心体系内总人数307人,企业在册骨干494人,联合培养学生148人。发展中心秉承“科学唯实,开拓创新,笃信致远”的理念,不断梳理发展定位和总体目标,凝练以农资(农业)物联网、公共安全、智能工业、感知边疆为重点的应用示范发展方向;不断完善研发组织结构,共成立5个管理支撑部门及17个非法人研究单元;与工业界、各领域的交流合作全面展开;MEMS设计与制造平台、SIP封装平台、通讯系统与芯片设计测试、验证、分析平台等七大公共技术服务平台全面开放;成功组织了中科院参展第十四届深圳高交会及第三届无锡物博会;不断探索跨所合作、科研成果辐射及产业化、面向行业应用的科研与公共技术平台建设新模式,在培育物联网市场、推动战略性新兴产业发展、支撑服务地方产业升级转型开始发挥作用。

  微电子所院地合作与产业化工作坚持以“企业为主体、市场为导向、产学研结合”,贯彻“全方位开放”的理念,基于学科优势、科研积累,发挥人才、技术优势,截至2012年底,累计合作共建各类机构64家,其中分所1家、分部2家、对外投资成立公司25家、共建联合实验室35家、院级平台1家。2012年,新增企业4家、共建联合实验室1家,对外投资3059万元;吸引社会投资9237.3万元,其中现金投资8600.8万元,无形资产投资636.5万元。与国内封装龙头企业共同投资成立国家级“华进半导体封装与系统集成研发中心”,在构建企业主导的产业技术研发体系道路上迈出了坚实脚步。形成了以北京为中心、江苏为龙头,遍布辽宁、浙江、广东、山东等地区的院地合作与产业化整体布局。

  微电子所与地方政府、龙头企业加强合作,推动科技成果转移转化,2012年,与天津市塘沽海洋高新区、秦皇岛康泰医学、江阴长电、威海北洋电气等企业签订合作协议,以建立联合实验室、技术联合研发等方式促进地方科技建设,加强与产业界的合作,已签订合作协议15个,横向经费近6000万元。2012年,科技部批准微电子所为第四批国家技术转移示范机构。

  2012年,微电子所共接待国外专家来访和学术交流26个团组78人次;派遣出国访问、讲学、交流100个团组191人次;聘任国外名誉和客座研究员6人。

  微电子所是全国半导体设备与材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会秘书处、全国纳米技术标准化技术委员会微纳加工技术工作组秘书处、北京电子学会半导体专业技术委员会制版(光掩模制造)分技术委员会秘书处挂靠单位。

 

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