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2014年年鉴
2014-05-21 | 编辑: | 【 【打印】【关闭】
 

  中国科学院微电子研究所(以下简称微电子所)的前身——原中国科学院109厂成立于1958年。1986年,109厂与中国科学院半导体研究所、计算技术研究所有关研制大规模集成电路部分合并为中国科学院微电子中心。20039月,正式更名为中国科学院微电子研究所。  

  微电子所的创新2020”战略定位是:中国微电子技术创新的引领者和产业发展的推动者;三个重大突破是集成电路先导技术、物联网关键技术与示范工程等,五个重点培育方向是高端通用芯片与设计新技术、低成本低功耗信息器件与系统集成等。  

  微电子所是国家集成电路制造领域前瞻性先导技术研发的牵头组织单位,是中国科学院物联网研究发展中心、中国科学院EDA中心等院级创新平台的依托单位。设有11个从事应用技术研究的研究室(硅器件与集成技术研发中心、专用集成电路与系统研究室、纳米加工与新器件集成技术研究室、微波器件与集成电路研究室、通信与多媒体SoC研究室、电子系统总体技术研究室、电子设计平台与共性技术研究室、微电子设备技术研究室、系统封装技术研究室、集成电路先导工艺研发中心、射频集成电路研究室)和2个从事前沿基础研究的重点实验室(微电子器件与集成技术重点实验室、低功耗集成电路重点实验室)。  

  截至2013年底,微电子所共有在职职工1155人。其中科技人员874人、科技支撑人员72人,包括中国科学院院士2人、研究员及正高级工程技术人员72人、副研究员及高级工程技术人员204人。共有国家中青年科技创新领军人才1人,国家海外高层次人才引进计划(千人计划)入选者12人,中国科学院百人计划入选者24人,国家杰出青年科学基金获得者2人。  

  微电子所是国务院学位委员会批准的博士(19965月获批)、硕士学位(199011月获批)授予权单位之一,现设有电子科学与技术一级学科,下设微电子学与固体电子学二级学科(2011年获批中国科学院重点学科),设有硕士、博士研究生培养点和电子科学与技术一级学科博士后流动站,是全国首批工程博士试点单位。截至2013年底,共有在学研究生456人(其中硕士生207人、博士生106人、联合培养生143人)、在站博士后12人。   

  2013年,微电子所共有在研项目324 项(新增项目91项)。其中,国家科技重大专项课题67项(新增12项),国家重点基础研究发展计划(973计划)首席项目2项、课题17项,国家高技术研究发展计划(863计划)课题9项(新增2项);国家自然科学基金创新群体1项、重点项目5项、面上项目14项(新增7项);院战略性先导科技专项项目1项,院重点部署项目1项,院其他项目9项。 

  2013年,微电子所取得的主要成果有:(1)集成电路设计方向:开发出面向RoFIMT-Advanced射频芯片组,并在研发成功的射频芯片基础上开发出支持4×4 MIMORoF射频模块,在系统中完成了传输验证;高性能IP及共性技术取得进展,设计了多个基于中芯国际55nm40nm CMOS工艺的IP,并为先导工艺技术开发出6套兼容不同数据标准的商用PDK;为华虹宏力0.13um汽车电子工艺成功开发第一款Flash IP产品。(2)集成电路制造工艺方向:22nm先导工艺研发成果开始生产转移开发、实现相关专利许可,这是我国集成电路先进工艺的第一把保护伞;面向16nm技术代的体硅FinFETs逻辑工艺先导研发取得重大进展,在国内首次研发出用于16nm技术代的物理栅长在25nm的体硅FinFETs器件,缩小了与国际最先进水平的差距;新一代阻变存储器(RRAM)研究在实用化所需的高性能、高可靠性提升等方面取得阶段性进展,相关工作发表在国际知名期刊上;第三代化合物半导体GaNInP毫米波器件与电路全面突破,提升了我国GaNInP毫米波器件和电路的国际影响力。(3)集成电路装备方向:围绕集成电路32nm及以下工艺所需的关键设备开展前瞻性研究,成功研制8台新原理创新设备,并开始与我国主要集成电路制造公司联合开发,对设备进行优化升级。通过专利转让实现销售原子层沉积设备15台,无掩模光刻设备及关键单元实现销售5台。(4)集成电路封装测试方向:华进半导体封装先导技术研发中心完成整合,技术研发进展顺利,8硅通孔(TSV)转接板技术研发成功,并应用在CPU芯片、有机基板等领域,验证了互连性能;成功研制出无线球型内窥镜系统级封装样机,包含存储、无线收发、传感器、电源管理等芯片及无源元件160多个,含有6个摄像头、可对周边环境进行全方位拍照。(5)其他方向:开发出车载三维可变视角全景影像系统,有效避免了行车过程中的视野盲区,提供了行车轨迹提示和距离预警功能,有效提高了驾驶的安全性。微电子所牵头承担的高精度微纳结构掩模制造核心技术项目获得2013年国家技术发明二等奖。 

  2013年,微电子所共申请专利469项,其中国内发明专利387项,实用新型17项,PCT申请65项;授权专利共383项,其中美国专利59项,国内专利324项。此外,在微电子学、半导体材料、纳米材料、固体力学、电子与通信、太阳能等领域发表各类论文共191篇,其中SCI收录79篇,EI收录55篇;登记软件著作权11项,集成电路布图设计11项。   

    微电子所院地合作与产业化工作坚持“创新驱动、市场牵引、服务产业”的方针,坚持科研与产业化过程中全方位开放的理念,充分利用研究所在微电子领域具有的综合学科优势、科研积累、人才优势,通过与产业链的全面嫁接,加强与重点企业、龙头企业、重点区域的全面合作,支撑服务我国微电子产业发展。2013年,新增投资企业6家;累计合作共建分所、分部、对外投资成立公司、共建联合实验室以及院级平台等各类机构共68家。通过产业引导,形成了以北京为中心、江苏为龙头,遍布辽宁、天津、浙江、广东、山东等地区的院地合作与产业化整体布局。微电子所与地方政府、龙头企业加强合作,推动科技成果转移转化,2013年,与天津市塘沽海洋高新区、秦皇岛市、南京市徐庄产业园等地方和企业签订合作协议,以建立地方研发平台、技术联合研发等方式促进地方及企业科技建设,加强与产业界的合作,签订了多项合作协议。 

  2013年,微电子所共接待国外专家来访和学术交流20个团组56人次;派遣出国访问、讲学、交流110个团组210人次;聘任国外名誉和客座研究员2人。 

  作为中科院电子系统与芯片设计公共技术服务支撑平台,中国科学院EDA中心(以下简称“EDA中心)以微电子所为依托单位,通过中科院支持的区域加工服务中心建设,为中科院内各会员单位整合更加先进、丰富的行业资源和教育培训资源。2013年,EDA中心为院内提供近千次服务,服务覆盖软件平台、物理实现、IP授权、MPW、封装设计、PCB设计等方面,有效整合产业链上下游资源,带动国内、中科院IC设计迅速进入40/65nm阶段,推动国产高端芯片设计技术迈上新台阶。承担院十二五重要方向性课题芯片设计数据共享平台,搭建了基于云计算的芯云”IC设计环境。再次承办国际学术竞赛并获得组委会一致好评,获邀继续承办2014年竞赛。建立佛山分中心、南京分中心,推动地方产业发展。经过十年建设,EDA中心经历了从中科院资源共享平台共性技术服务共性技术创新三个阶段和层次的发展历程,已经提升为国家级行业共性技术服务创新平台。 

  中国物联网研究发展中心(筹)/中国科学院物联网研究发展中心/江苏物联网研究发展中心(以下统称发展中心)成立四年多来,在院地多方的大力支持下,紧紧围绕打造中国物联网技术集成创新中心、行业应用示范中心、产业培育中心的目标任务,积极发挥机构优势,通过多种形式广泛整合科研和产业化资源,积极推进重点行业应用、与行业资源共同培育商业模式,在支撑无锡国家传感网示范区建设中发挥了重要作用。截至2013年底,发展中心共集聚800余人的创新团队,孵化企业28家,科研优势与核心地位逐步凸显,成为服务支撑地方产业转型发展的主力军。在核心技术研发、公共技术服务平台建设、物联网应用与示范工程建设、产业培育与投资等方面均取得重要进展。农资物联、公共安全物联、智慧工业等行业应用示范实现良好效果;孵化项目与社会化投资企业成长势头良好。截至2013年底,发展中心累计申请专利335项、软件著作权11项、PCT专利9项,提交标准草案19项,发表论文63篇。 

  微电子所是全国半导体设备与材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会秘书处、全国纳米技术标准化技术委员会微纳加工技术工作组秘书处、北京电子学会半导体专业技术委员会制版(光掩模制造)分技术委员会秘书处挂靠单位。     

 

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