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美国马萨诸塞大学安姆斯特分校副教授Qiangfei Xia来微电子所访问交流
2017-11-07 | 编辑:微电子重点实验室 张康玮 | 【 【打印】【关闭】
 

  11月2日,美国马萨诸塞大学安姆斯特分校副教授Qiangfei Xia来微电子所访问交流,并作了题为“Memristive Nanodevices and Arrays for Brain-inspired Computing and Beyond”的学术报告。微电子所刘明院士主持交流会。来自全所各部门的40余名科研人员、研究生参加了会议。 

  忆阻器(电阻转变)是一种新兴的纳米电子器件,采用电阻态来表示0和1或模拟信息。报告中,Xia介绍了其所在课题组近期制备的基于HfO2和SiO2的2纳米尺度和8层叠加的高性能忆阻器件和阵列,展示了大忆阻器阵列(128*64)集成。该集成可作为多层神经网络应用于模拟信号/图像处理和机器学习。Xia还简要介绍了忆阻器突触和神经模拟器,讲解了如射频开关和真随机数发生器等忆阻器应用案例。与会人员与Xia就忆阻器、人工智能等领域进行了深入交流。 

  Xia现任美国马萨诸塞大学阿默斯特分校电子与计算机工程系副教授,IEEE和SPIE高级会员,研究领域包括后CMOS纳米器件、器件物理、纳米集成系统、纳米技术、及其应用,曾获DARPA青年学者奖,NSF CAREER奖,Barbara H. - Joseph I. Goldstein优秀青年教师奖。 

 

会议现场

 

 

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