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微电子所在高精度三轴加速度计产品工艺研发方面取得进展
2016-05-03 | 编辑:先导中心 孔延梅 | 【 【打印】【关闭】
 

  近日,微电子所陈大鹏研究员团队联合江苏艾特曼电子科技有限公司,依托研究所8英寸 CMOS工艺平台,完成了高精度三轴加速度计产品工艺的开发与验证,经客户测试,器件性能良好,符合设计预期。 

  针对产业界对MEMS代工的迫切需求,微电子所科研人员以高精度三轴加速度计开发为牵引展开攻关,致力于在现有8英寸硅工艺线上实现与CMOS工艺兼容的通用MEMS加工平台技术,成功开发出大深宽比MEMS结构刻蚀、MEMSASIC晶圆堆叠、TSV电学连接及晶圆级盖帽键合封装等关键工艺技术的量产,最终实现了TSVASIC晶圆、MEMS结构晶圆及盖帽晶圆的三层键合工艺,并顺利交付首款三轴加速度计产品。 

  目前,微电子所在现有8英寸硅工艺线基础上,形成了适用于多种MEMS传感器件(高精度两轴、三轴加速度计、高度计、压力、红外热敏等)加工的Post CMOS-MEMS标准工艺,并实现了该工艺技术平台化的开发,可为MEMS设计单位提供产品工艺研发与批量加工服务。 

 

1. 8英寸三轴加速度计产品晶圆 

 

2. 三轴加速度计产品Die 

 

3. 三轴加速度计产品剖面SEM 

 

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