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MIT携手斯坦福打造集成处理器和内存的3D芯片
2017-07-17 | 编辑: | 【 【打印】【关闭】
 

  为了追赶摩尔定律,麻省理工与斯坦福两所大学的计算机科学家和电气工程师们,携手开发出了一种集成了内存和处理器、并采用碳纳米管线来连接的3D计算芯片。该团队制造了一台小规模的碳纳米管(CNT)计算机,它能够运行程序、简单的多任务操作系统、以及执行MIPS指令。项目领导人MaxShulaker相信,该技术能够克服逻辑电路和内存之间的通讯瓶颈。   

  当前工程师们所面临的一个问题,就是日益增长的处理器(或存储)性能、与不断往返的大量数据传输之间的矛盾。即使当前最快的CPURAM,仍受制于传统的并行总线架构。   

  而斯坦福/麻省理工研究团队的3D芯片,则交错布置着逻辑与内存层。这项技术不仅已被证实可行,也从根本上改变了晶体管的装配方式。   

  该芯片并未采用硅来制作晶体管,而是石墨烯;更确切的说,其中的碳纳米管也是由石墨烯制造的——它们被称作“碳纳米管场效应晶体管”(CNFET),且在芯片上提供了逻辑层。   

  处理器上的其它层是“可变电阻式内存”(RRAM),它通过改变固体介质材料的电阻来工作。研究合著者H.-S.PhilipWong表示:“与DRAM相比,RRAM的密度、速度和能效都可以更高”。   

(来源:cnbeta        2017711日) 

 

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