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中科院微电子所2016年度率先行动“百人计划”招聘启事
2016-04-15 | 编辑: | 【 【打印】【关闭】
 

  中国科学院微电子研究所成立于1958年,通过长期不懈的努力,已成为国内微电子领域最重要的研发机构之一。为了加强学科的发展,现诚聘相关专业“百人计划”研究人员。 

  一、招聘岗位及岗位职责 

  (一)、率先行动百人计划学术帅才(A类) 

  硅器件与电路技术学术带头人1人:负责硅器件与集成电路方向的战略布局和研究方向攻关,负责项目的调研、组织、申报及执行,负责科研成果的推广及产业化,负责协调并解决各项工作中的问题,负责该方向研究生的培养与管理等。 

  物联网关键技术学术带头人1人:负责物联网关键技术的战略布局和研究方向攻关,负责项目的调研、组织、申报及执行,负责科研成果的推广及产业化,负责协调并解决各项工作中的问题,负责该方向研究生的培养与管理等。 

  (二)、率先行动百人计划技术英才(B类) 

  三维存储器器件研究正高级工程师1人:负责三维存储器器件特性特别是存储性能和可靠性特性优化等关键技术的研究和应用,开展三维存储器新型结构、材料和相关工艺模块的研发;器件特性和器件可靠性评估方法的标准化制定;器件建模和计算机辅助设计,打造一支具有较高技术水平的专业存储器器件研发队伍。 

  高可靠器件研究正高级工程师1人:负责高可靠CMOS工艺trench沟槽和STI等隔离工艺和可靠性特性优化等关键技术的研究和应用,开展高可靠CMOS器件新型结构和相关工艺模块的研发, 开展高可靠CMOS器件ESD保护新结构和新工艺模块的研发;开展器件特性和器件可靠性评估方法的标准研究;进行器件建模和计算机辅助设计,打造一支具有较高技术水平专业的高可靠MOS器件研发队伍。 

  (三)、率先行动百人计划青年俊才(C类) 

  1、中国科学院EDA中心 

  该研发中心主要研究方向为:先进集成电路设计及EDA技术、物联网系统架构与核心芯片研发、网络化产业公共服务平台。是中国科学院面向全院集成电路与系统设计领域科研与教育的网络化公共平台,面向全国开展技术服务。 

  2、集成电路先导工艺研发中心 

  该研发中心围绕集成电路先导工艺技术研究,致力于CMOS前沿工艺及其它硅基集成电路相关技术研究,是我国集成电路前沿研究领域的中坚力量,已做出了多项代表国家集成电路工艺研究水平的成果,拥有净化面积约3000平米的8英寸和4英寸先导工艺研发平台,其中8英寸研发线采用工业界标准的工艺设备,并在多个关键模块上拥有特色工艺能力。 

  3、系统封装与集成研发中心 

  该研发中心主要从事先进电子封装与集成技术的研究与开发。主要研究方向包括:系统封装设计研究、中道晶圆级封装技术、先进封装基板技术、先进微组装技术、可靠性与失效分析研究、光互连集成技术。 

  4、中科新芯三维存储器研发中心 

  该研发中心主要从事存储器架构与集成技术研究、存储器器件与可靠性技术研究、存储器模型模拟技术研究、存储器测试表征技术研究、存储器芯片设计技术研究。 

  5、通信与信息工程研发中心 

  该研发中心主要面向智能工业、智能医疗和智能电网等核心应用领域,开展MEMS红外传感器设计、低功耗处理器芯片、电力线与物联网通信芯片、高速接口IP核、高性能数模混合IP核、智能传感器接口与预处理电路、高精度微波空间感知技术以及生物光电传感器系统的应用开发。 

  6、新能源汽车电子研发中心 

  该研发中心主要围绕新能源汽车电子核心技术,开展车载卫星导航芯片、电池管理芯片、高可靠图像传感器芯片、大规模SOC芯片设计,智能辅助驾驶、新能源汽车电控技术、车联网整体解决方案等研究。 

  7、健康电子研发中心 

  该研发中心主要开展微电子与生物医学跨学科协同创新,通过核心芯片与器件、移动医疗终端以及健康管理系统研发,推出普惠式健康管理产品及整体解决方案;具体研发内容包括,肿瘤细胞捕获与检测技术、基因测序技术、生物传感器与芯片实验室系统、心电图在线分析系统、远程联合诊疗平台、超宽带微波共焦成像技术等。  

  8、智能感知研发中心 

  该研发中心主要面向智能工业、智能医疗和智能电网等核心应用领域,开展MEMS红外传感器设计、低功耗处理器芯片、电力线与物联网通信芯片、高性能数模混合IP核、智能传感器接口与预处理电路、高精度微波空间感知技术以及生物光电传感器系统的应用开发。 

  9、硅器件与集成研发中心 

  该研发中心面向半导体硅基器件及集成电路研究,主要开展高可靠硅基集成电路、高可靠VDMOS器件、高可靠IGBT器件、高可靠霍尔电路、高可靠存储器电路、高可靠接口电路和SoC电路等方向的研发工作。 

  10、高频高压期间与集成研发中心 

  该研发中心的主要研究方向包括:GaN功率器件与MMIC研究、InP基高频、高速器件与电路研究、宽禁带电力电子器件研究、超高速数模混合电路研究、硅基高迁移率Ge/III-V CMOS技术研究、新型高效太阳能电池技术研究、新型石墨烯电子器件研究。 

  11、微电子仪器设备研发中心 

  该研发中心的主要研究方向包括:新型集成电路制造与测试装备、新型太阳能电池制造技术和装备、高效率LED制造技术和装备、光学检测装备、MEMS加工技术、装备及关键的射频功率源系统技术。 

  12、微电子器件与集成技术重点实验室 

  重点实验室围绕微电子学科前沿和产业面临的基础问题,开展1)新结构新材料存储和逻辑、2)新材料、新原理多功能融合的信息器件、3)纳米集成技术的基础问题,三个研究方向相关关联、互为支撑。 

    

  二、 应聘条件 

  1A类应具有在海外知名大学、国际知名科研机构或企业担任教授及相当职位的任职经历;在本学科领域有较深的学术造诣,具有广泛的国际学术影响力,受到国际同行的普遍认可;年富力强,具有领军才能和团队组织能力。符合中国科学院率先行动“百人计划”管理实施细则规定的招聘条件。详细情况可登录(http://www.pe.cas.cn/)网站介绍。 

  2B类应为掌握关键技术,在海外从事工程技术类研发,或从事重大科学装置建设、仪器设备研发等相关工作3年(含)以上的中青年杰出人才;能够解决关键技术问题、推动技术创新,并取得过一流成果。符合中国科学院率先行动“百人计划”管理实施细则规定的招聘条件。详细情况可登录(http://www.pe.cas.cn/)网站介绍。 

  3C类应为具有博士学位,在海外知名大学、科研机构等学习或工作3年(含)以上的优秀青年人才,特别优秀的,海外学习或工作年限可适当放宽;在本研究领域已崭露头角,做出过具有突出创新思想的研究成果;具有优良的科技创新潜质和较好的团队协作能力;申报时取得博士学位时间未超过5年。符合中国科学院率先行动“百人计划”管理实施细则规定的招聘条件。详细情况可登录(http://www.pe.cas.cn/)网站介绍。     

  三、应聘材料 

     1)个人简历,填写<<中国科学院率先行动“百人计划”申请表/备案表>>(可从http://www.pe.cas.cn/下载) 

     2)发表的论著目录、论著引用情况及35篇代表性论文。  

     3)相关证明材料(已取得的重要科研成果(含专利)证明、国内外任职情况证明、最高学位证书、身体健康状况证明等)。 

     43位教授级国内外同行专家的推荐信。 

     5)对开展应聘学科科研工作的设想、计划和要求。 

  四、聘期福利待遇 

     1)聘任相应专业技术岗位。 

     2)到岗后提供50-70万元科研启动经费;通过院“百人计划”择优支持评审可获得中科院科研经费的专项经费资助。 

  五、联系方式 

  联系人:王雷、白璐 

   话:010-82995540/010-82995699 真:010-62021601 

   址:北京市朝阳区北土城西路3 微电子研究所 人事处 

  邮政编码:100029 

  E-mailwanglei@ime.ac.cn/bailu@ime.ac.cn 

   址:http://www.ime.cas.cn/ 

    

 

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